球狀焊接芯片正式入駐固態(tài)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線。

EverSpin的MRAM芯片BGA焊球細(xì)節(jié)

東芝公司已經(jīng)發(fā)布了其體積更為小巧但容量更高的平板設(shè)備專用SSD，而其終極輕薄的效果源自TLC 3D NAND與BG1 SSD卡產(chǎn)品線的結(jié)合——存儲(chǔ)容量亦借此實(shí)現(xiàn)倍增。

BG1 SSD最初誕生于2015年8月，為一款容量256 GB的NVMe M.2產(chǎn)品。此產(chǎn)品配備邊緣連接器并可接入插槽當(dāng)中。

這款芯片本身以焊接方式固定至M.2卡之上，且采用一套球柵陣列（簡稱BGA）。這種球形焊接直接深入表面之下，可用于將芯片連接器同母卡直接相連。

這種新的連接方式能夠替代過去的針腳設(shè)計(jì)——而且與BGA相比，針腳固定方式存在著易彎曲變形及電感較高的等缺點(diǎn)。

東芝公司于2015年1月公布了其首款NVMe BG系列芯片，其采用19納米東芝MLC（二層單元）閃存并提供128 GB與256 GB兩種容量選項(xiàng)。另外，其還提供芯片內(nèi)置控制器與NVMe驅(qū)動(dòng)的PCIe 3.0接口。這套BGA封裝方案被用于M.2 BG1 SSD，體積為16毫米x 20毫米，與最新BG產(chǎn)品保持一致。

根據(jù)我們得到的消息，其表面積較東芝的2.5英寸SATA存儲(chǔ)設(shè)備降低了95%，相較于M.2 Type 22806封裝亦縮小82%。

左側(cè)為東芝BG1的小型邊緣連接器卡。

而隨著TLC（即三層單元）3D NAND與東芝BiCS技術(shù)的配合，BG芯片的容量將提升至512 GB。我們假定其采用48層BiCS。目前尚不清楚具體性能——包括IOPS或者傳輸帶寬——或者使用壽命信息，不過可能已經(jīng)有部分OEM合作方拿到了這部分?jǐn)?shù)據(jù)。

新一代產(chǎn)品提供128 GB、256 GB與512 GB容量選項(xiàng)，且通過16毫米x 20毫米封裝（M.2 Type 1620）或者可移動(dòng)（插槽）M.2 Type 2230模塊交付。

這款設(shè)備采用PCIe第三代x2接口，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)NVMe標(biāo)準(zhǔn)主機(jī)內(nèi)存緩沖（簡稱HMB）功能。其可分配并利用主機(jī)DRAM進(jìn)行閃存管理，而不再依賴于內(nèi)置DRAM。對(duì)主機(jī)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)進(jìn)行查詢能夠顯著降低常規(guī)數(shù)據(jù)的訪問延遲。

MRAM芯片開始利用球狀焊點(diǎn)網(wǎng)格實(shí)現(xiàn)對(duì)接

BG 3D NAND SSD將受眾指向平板設(shè)備以及輕薄型與便攜式二合一筆記本產(chǎn)品OEM廠商。

目前相關(guān)樣品已經(jīng)開始向PC OEM客戶定量提供，預(yù)計(jì)批量供應(yīng)將于2016年第四季度實(shí)現(xiàn)。參與本屆8月8號(hào)到11號(hào)于加利福尼亞州圣克拉拉市召開的2016年閃存記憶體峰會(huì)的朋友將能夠了解更多來自東芝方面的新消息。